進(jìn)入90年代,變電站無(wú)人值班改造相繼進(jìn)行,大量控制和保護(hù)設(shè)備改為微機(jī)型。為加強(qiáng)通信的可靠性,一點(diǎn)多址小微波進(jìn)入主控室,大大小小的微波塔與主控室或并行而立,或干脆設(shè)在主控室屋頂。這些改造往往由不同專(zhuān)業(yè)部門(mén)分別完成,缺乏統(tǒng)籌考慮,這就給防雷工作帶來(lái)了一系列問(wèn)題。
老式變電站改造后帶來(lái)的防雷問(wèn)題
80年代前的110kV及以下變電站的主控室多數(shù)為單層平房、磚混結(jié)構(gòu),屋頂沒(méi)有做均壓帶,鋼筋也沒(méi)與接地網(wǎng)焊接。由于高度較低,其防雷一般由站區(qū)避雷針兼顧,也有的未予考慮。少數(shù)主控室屬于樓房結(jié)構(gòu),由于當(dāng)時(shí)控制和保護(hù)設(shè)備多為電磁型,也僅按一般建筑防雷要求進(jìn)行簡(jiǎn)單處理。
無(wú)人值班改造后,因小微波設(shè)備小巧簡(jiǎn)單,一般放在主控室側(cè)壁上,同時(shí)考慮信號(hào)衰減因素,微波塔多與主控室的距離很近,一般小于5m,甚至干脆立于主控室屋頂上。這兩種布置對(duì)主控室的危害有:
a.雷擊時(shí),通過(guò)微波塔瞬間的雷電流會(huì)在周?chē)臻g形成劇變的電磁場(chǎng),對(duì)主控室設(shè)備將產(chǎn)生電磁干擾。
b.產(chǎn)生的反擊雷電波流過(guò)接地引下線(xiàn)或建筑物的金屬導(dǎo)體時(shí),均存在設(shè)備外殼電位升高及向電源或其他低電位引線(xiàn)的反擊問(wèn)題。
c.雷擊微波塔時(shí),塔體上會(huì)產(chǎn)生很高的電位,從而對(duì)近距離物體反擊。
《電力系統(tǒng)微波通信工程設(shè)計(jì)技術(shù)規(guī)程》DL5025—93及《電力設(shè)備過(guò)電壓保護(hù)設(shè)計(jì)技術(shù)規(guī)程》SDJ7—79對(duì)防雷問(wèn)題均有相應(yīng)規(guī)定,但由于微波塔的介入,給原本受避雷針保護(hù)或雖不受避雷針保護(hù)但防雷環(huán)境較好的主控室?guī)?lái)了防雷問(wèn)題,增加了引雷機(jī)會(huì),使主控室不能滿(mǎn)足技術(shù)規(guī)程要求。
雷電對(duì)計(jì)算機(jī)等弱電設(shè)備的干擾和破壞
對(duì)于低壓電子設(shè)備而言,雷電是主要的干擾源之一。雷擊建筑物上的防雷裝置時(shí),一方面將導(dǎo)致建筑物內(nèi)地電位的升高;另一方面雷電流對(duì)二次電纜和設(shè)備產(chǎn)生強(qiáng)電磁干擾,導(dǎo)致設(shè)備損壞或數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕靵y。雷擊時(shí)室內(nèi)工作人員的人身安全也將受到嚴(yán)重威脅。
雷擊建筑物上防雷裝置時(shí)產(chǎn)生的干擾,主要來(lái)自:①雷電放電主通道產(chǎn)生的電磁干擾;②雷擊建筑物時(shí)在建筑物雷電保護(hù)系統(tǒng)(如避雷帶等)或建筑物本身鋼筋結(jié)構(gòu)上流過(guò)的雷電流對(duì)室內(nèi)的干擾。前者干擾體現(xiàn)于電磁場(chǎng),后者除電磁感應(yīng)外,還易引起地電位分布不均,造成電位差。
變電站中,在發(fā)生操作或接點(diǎn)故障時(shí),所產(chǎn)生的入地電流和電弧會(huì)引起電磁輻射。雷擊時(shí),雷電流同工頻接地短路電流相比,其幅值高,上升快,因而輻射更強(qiáng)烈。資料表明,雷電波所產(chǎn)生的電磁波脈沖(EMP)強(qiáng)度極高,電場(chǎng)強(qiáng)度可達(dá)105V/m,磁場(chǎng)強(qiáng)度可達(dá)260A/m,對(duì)附近設(shè)備,特別是計(jì)算機(jī)等弱電設(shè)備,可引起電路性能惡化和部分元件燒毀。
在老式變電站中,往往采用共地接地方式,即計(jì)算機(jī)和變電站接地共同使用一個(gè)地網(wǎng)的接地方式。優(yōu)點(diǎn)是有同一個(gè)基準(zhǔn)電位,在發(fā)生故障時(shí),整個(gè)地網(wǎng)的電位同時(shí)抬高,不會(huì)在計(jì)算機(jī)上造成較大的電位差,有利于人身和設(shè)備的安全。但是,共地式也存在正?;蚴鹿是闆r下強(qiáng)電對(duì)弱電的干擾問(wèn)題,計(jì)算機(jī)等弱電設(shè)備內(nèi)部電路(TTL,CMOS)的閾值電壓一般不大于5V,這意味著只要大于5V的電磁干擾脈沖電壓進(jìn)入計(jì)算機(jī),就有可能導(dǎo)致計(jì)算機(jī)的數(shù)據(jù)或指令錯(cuò)誤。
根據(jù)IEC標(biāo)準(zhǔn),室內(nèi)低壓裝置的耐沖擊電壓最高僅為6kV。當(dāng)微波塔遭直接雷擊時(shí),假設(shè)流經(jīng)靠近低壓電氣裝置處接地裝置的雷電流為20kA,以及接地裝置的沖擊接地電阻甚至低至0.5Ω,這時(shí),在接地裝置上電位升高為10kV。由于共同接地,低壓電氣裝置接地的金屬外殼的電位比帶電體(相導(dǎo)體)也約高10kV。在這種情況下,在低壓電氣裝置絕緣較弱處將可能被擊穿而造成短路,損壞設(shè)備。