安全工作區(qū)(SOA)是MOSFET器件設(shè)計(jì)中的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。傳統(tǒng)CMOS在襯底電流．柵極電壓曲線上只出現(xiàn)一個(gè)襯底電流峰值，該峰值可直接反映出熱載流子注入(HCI)效應(yīng)最強(qiáng)的位置，因此可以容易地給出其SOA；而對(duì)于橫向雙擴(kuò)散MOSFET(LDMOS)器件，由于Kirk效應(yīng)的發(fā)生，造成其襯底電流峰值不明顯。此時(shí)的襯底電流已經(jīng)不能再完全反映HCI效應(yīng)的強(qiáng)弱。單純使用Hu模式或襯底電流模式對(duì)SOA測(cè)試和分析都不合適。針對(duì)發(fā)生嚴(yán)重 rk效應(yīng)的LDMOS，此處提出一套更合理的HCI SOA測(cè)試方法，該方法既能節(jié)省測(cè)試時(shí)間，同時(shí)準(zhǔn)確性又高。