1 SF6封閉式組合電器中的特快速暫態(tài)現(xiàn)象
　　近年來，GIS在國際上得到了廣泛應(yīng)用。然而運(yùn)行經(jīng)驗(yàn)表明，GIS隔離開關(guān)在例行操作時(shí)不僅會(huì)在GIS主回路引起對地故障[1,2]，而且還會(huì)造成相鄰設(shè)備(如變壓器等)的絕緣損壞[3]。
　　因此國內(nèi)用戶對這一問題的關(guān)切程度也在增加，本文在這方面做了一些工作，這里作簡要的介紹。
　　
　　當(dāng)隔離開關(guān)兩側(cè)電壓Va高于VR時(shí)隔離開關(guān)被擊穿，過渡過程完成后，隔離開關(guān)兩側(cè)電位基本相等，電弧熄滅，電路原理如圖2所示。由于負(fù)荷側(cè)母線泄露電阻很大，所以保持熄弧瞬間電壓V1不變，在示波圖上表現(xiàn)為一段水平直線。而電源側(cè)電壓隨電源Vs而變。當(dāng)它們的差值Va再次超過VR時(shí)，隔離開關(guān)復(fù)燃。這一過程會(huì)在隔離開關(guān)打開的過程中不斷發(fā)生。對于合閘操作，機(jī)理也完全相同。
　　
　　在每一個(gè)電壓跳變處將產(chǎn)生一個(gè)階躍電壓波，對正常設(shè)計(jì)的GIS，估計(jì)這一上升時(shí)間最快可達(dá)3ns[4]。由于這一過電壓的上升速率極快，因此被稱做陡波前過電壓（VeryFastFrontOvervoltage簡稱VFFO），也有些文獻(xiàn)稱這種過電壓為特快速暫態(tài)過電壓（VeryFastTransientsOvervoltage簡稱為VFTO）。這樣的階躍電壓波不斷地產(chǎn)生、來回地傳播，并且發(fā)生復(fù)雜的折射、反射和疊加就構(gòu)成了GIS中的（VeryFastTransients）現(xiàn)象。
　　
　　2 試驗(yàn)簡介
　　
　　試驗(yàn)方式1是用被試隔離開關(guān)DT開合一段短負(fù)荷母線（DT與DA之間的母線）。在進(jìn)行合閘操作前，負(fù)荷側(cè)母線必須充以表1規(guī)定的直流電壓，然后直流電壓源用輔助隔離開關(guān)DA斷開。由于GIS母線泄露電阻很大，負(fù)荷側(cè)母線將保持這一電壓不變，這時(shí)將電源側(cè)（DT左側(cè)）電壓升至試驗(yàn)電壓，最后關(guān)合被試隔離開關(guān)DT。
　　
　　由于負(fù)荷側(cè)母線已經(jīng)預(yù)充了負(fù)的直流電壓，隔離開關(guān)將在電源側(cè)電壓峰值處附近擊穿，產(chǎn)生VFFO。開斷試驗(yàn)時(shí)，DA打開，DT處于合閘位置，電源電壓升至，打開DT即可。
　　需要說明的是，在隔離開關(guān)開斷時(shí)，隨著隔離開關(guān)觸頭距離的增加，擊穿電壓也在不斷上升，所以最后階段重燃的過電壓是最高的（參見圖1）。其極限情況是最后一次重燃前負(fù)荷側(cè)母線殘留電壓為相電壓峰值，而最后一次重燃又正好發(fā)生在電源側(cè)電壓反極性峰值處，但這種概率是不大的。而標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的關(guān)合試驗(yàn)條件考慮的即為這一苛刻狀況，也就是說在方式1中，合閘產(chǎn)生的過電壓相對來說比較穩(wěn)定，這是由于負(fù)載側(cè)預(yù)充了直流電壓。而分閘過電壓隨機(jī)性比較強(qiáng)，合閘過電壓比分閘過電壓要高。
　　IEC61259對此項(xiàng)試驗(yàn)規(guī)定了三種試驗(yàn)方式，但若對三種試驗(yàn)方式都進(jìn)行試驗(yàn)是非常困難的（具體要求參見文獻(xiàn)[5,6]。由于只有試驗(yàn)方式1是強(qiáng)制性的，因此只對方式1進(jìn)行了試驗(yàn)。
　　此次500kVGIS隔離開關(guān)共進(jìn)行了200次關(guān)合試驗(yàn)和100次開斷試驗(yàn)，取得了大量的數(shù)據(jù)。其中測得的最大過電壓出現(xiàn)在合閘負(fù)荷側(cè)，為1189kV（2.4p.u.）。