本文件描述了元器件位移損傷的試驗方法。
本文件適用于光電集成電路和分立器件，如電荷耦合器件（CCD）、光電耦合器、圖像敏感器（APS）、光敏管等，用質子、中子進行位移損傷輻照試驗。
其他元器件的位移損傷輻照試驗參照進行。