本文件主要內(nèi)容包括半導體紫外發(fā)射二極管芯片的技術要求（芯片極限值、光電特性等）、試驗條件、檢驗要求、質(zhì)量評定程序、標志等，且還規(guī)定了芯片篩選、逐批和周期質(zhì)量一致性檢驗要求，以及 A、B、C 組的劃分及試驗組成等內(nèi)容。