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電荷耦合器件質(zhì)子位移損傷效應(yīng)模擬試驗(yàn)方法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào)： T/CNS 81-2022
替代情況：
發(fā)布單位： 中國核學(xué)會(huì)
起草單位： 中國科學(xué)院新疆理化技術(shù)研究所，中國科學(xué)院微小衛(wèi)星創(chuàng)新研究院，中國航天科 技集團(tuán)公司第五研究院物資部
發(fā)布日期： 2022-12-16
實(shí)施日期： 2023-04-01
點(diǎn) 擊 數(shù)： 24 5
更新日期： 2024年07月20日
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內(nèi)容摘要

本文件適用于宇航用CCD位移損傷效應(yīng)輻照試驗(yàn)。

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