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碳化硅晶體材料缺陷圖譜

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào)： GB/T 43612-2023
替代情況：
發(fā)布單位： 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
起草單位： 北京大學(xué)東莞光電研究院、山西爍科晶體有限公司、河北普興電子科技股份有限公司等
發(fā)布日期： 2023-12-28
實(shí)施日期： 2024-07-01
點(diǎn) 擊 數(shù)：
更新日期： 2024年02月25日
內(nèi)容摘要

本文件規(guī)定了導(dǎo)電型4H碳化硅(4H-SiC)晶體材料缺陷的形貌特征，產(chǎn)生原因和缺陷圖譜。


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