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半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào): GB/T 1555-2023
替代情況: 替代 GB/T 1555-2009
發(fā)布單位: 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
起草單位: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所、有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司、 浙江金瑞泓科技股份有限公司
發(fā)布日期: 2023-08-06
實(shí)施日期: 2024-03-01
點(diǎn) 擊 數(shù):
更新日期: 2023年09月19日
內(nèi)容摘要

本文件描述了X射線衍射定向和光圖定向測(cè)定半導(dǎo)體單晶晶向的方法。
本文件適用于半導(dǎo)體單晶晶向的測(cè)定。X射線衍射定向法適用于測(cè)定硅、鍺、砷化鎵、碳化硅、氧化鎵、氮化鎵、銻化銦和磷化銦等大致平行于低指數(shù)原子面的半導(dǎo)體單晶材料的表面取向;光圖定向法適用于測(cè)定硅、鍺等大致平行于低指數(shù)原子面的半導(dǎo)體單晶材料的表面取向。

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