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硅單晶中III、V族雜質(zhì)含量的測(cè)定 低溫傅立葉變換紅外光譜法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào): GB/T 24581-2022
替代情況: 替代 GB/T 24581-2009
發(fā)布單位: 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
起草單位: 樂(lè)山市產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)所、青海芯測(cè)科技有限公司、江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有 限公司、亞洲硅業(yè)(青海)股份有限公司
發(fā)布日期: 2022-03-09
實(shí)施日期: 2022-10-01
點(diǎn) 擊 數(shù):
更新日期: 2022年04月04日
內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)描述了用低溫傅立葉變換紅外光譜法測(cè)定硅單晶中III、V族雜質(zhì)含量的方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅單晶中的III、V族雜質(zhì)鋁(Al)、銻(Sb)、砷(As)、硼(B)、鎵(Ga)、銦(In)和 磷(P)含量的測(cè)定,各元素的測(cè)定范圍(以原子數(shù)計(jì))為1.0×1010 cm-3~4.1×1014 cm-3。

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