本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了微電子技術(shù)用貴金屬漿料中方阻的測(cè)定方法。本部分適用于微電子技術(shù)用貴金屬漿料方阻的測(cè)定。 本標(biāo)準(zhǔn)是對(duì)ＧＢ／Ｔ１７４７３—１９９８《厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法》（所有部分）的整合修訂，分為７個(gè)部分.本部分為ＧＢ／Ｔ１７４７３—２００８的第３部分。
本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９９８《厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法　方阻測(cè)定》。
本部分與ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９９８相比，主要有如下變動(dòng)：
———將原標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng)修改為微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法　方阻測(cè)定；
———增加低溫固化型漿料方阻的測(cè)定方法；
———原標(biāo)準(zhǔn)的原理中，“將漿料用絲網(wǎng)印刷在陶瓷基片，經(jīng)過(guò)燒結(jié)后，膜層在一定溫度及其厚度、寬度不變的情況下……”修改為：“將漿料用絲網(wǎng)印刷在陶瓷基片或有機(jī)樹(shù)脂基片上，經(jīng)過(guò)燒結(jié)或固化后，膜層在一定溫度及厚度、寬度不變的情況下”；
———測(cè)厚儀修改為：光切顯微測(cè)厚儀用于燒結(jié)型漿料：范圍為０ｍｍ～５ ｍｍ，精度為０．００１ ｍｍ。千分尺用于固化型漿料：范圍為０ｍｍ～５ｍｍ，精度為０．００１ｍｍ。