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電子薄膜用高純金屬濺射靶材純度等級及雜質(zhì)含量分析和報(bào)告標(biāo)準(zhǔn)指南

標(biāo) 準(zhǔn) 號: YS/T 935-2013
替代情況:
發(fā)布單位: 中華人民共和國工業(yè)和信息化部
起草單位: 有研億金新材料股份有限公司
發(fā)布日期: 2013-10-17
實(shí)施日期: 2014-03-01
點(diǎn) 擊 數(shù):
更新日期: 2019年05月18日
內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電子薄膜制備用高純金屬濺射靶材的純度等級的定義方法、雜質(zhì)含量分析方法、抽樣規(guī)則及靶材純度等級報(bào)告標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范等內(nèi)容。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于電子薄膜用各類高純金屬濺射靶材。其他對純度有較高要求的靶材純度等級、雜質(zhì)含量分析及報(bào)告規(guī)范也可參照使用。

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