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異質(zhì)外延層和硅多晶層厚度的測(cè)量方法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào): YS/T 14-2015
替代情況: 替代 YS/T 14-1991
發(fā)布單位: 中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部
起草單位: 南京國(guó)盛電子有限公司等
發(fā)布日期: 2015-04-30
實(shí)施日期: 2015-10-01
點(diǎn) 擊 數(shù):
更新日期: 2019年05月13日
內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了異質(zhì)外延層和硅多晶層厚度的測(cè)量方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量襯底與沉積層之間界面層厚度小于100nm的異質(zhì)外延層和硅多晶層的厚度,測(cè)量范圍為1μm~100μm。

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