本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了單晶和鑄造多晶的硅片及硅錠的載流子復(fù)合壽命的非接觸微波反射光電導(dǎo)衰減測試方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅錠和經(jīng)過拋光處理的N型或P型硅片（當(dāng)硅片厚度大于1mm時，通常稱為硅塊）載流子復(fù)合壽命的測試。在電導(dǎo)率檢測系統(tǒng)靈敏度足夠的條件下，本標(biāo)準(zhǔn)也可用于測試切割或經(jīng)過研磨、腐蝕的硅片的載流子復(fù)合壽命。通常，被測樣品的室溫電阻率下限在0.05Ω·cm～10Ω·cm之間，由檢測系統(tǒng)靈敏度的極限確定。載流子復(fù)合壽命的測試范圍為大于0.1.s，可測的最短壽命值取決于光源的關(guān)斷特性及衰減信號測定器的采樣頻率，最長可測值取決于樣品的幾何條件及其表面的鈍化程度。