本標準規(guī)定了用區(qū)熔法和光譜分析法評價顆粒狀多晶硅的代位碳原子濃度、施主雜質(zhì)濃度和受主雜質(zhì)濃度的方法。
本標準適用于尺寸在600μm～3000μm的顆粒狀多晶硅，其他尺寸的顆粒狀多晶硅可參照本標準執(zhí)行。