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硅外延層厚度測定 堆垛層錯尺寸法

標(biāo) 準(zhǔn) 號： YS/T 23-2016
替代情況： 替代 YS/T 23-1992
發(fā)布單位： 中華人民共和國工業(yè)和信息化部
起草單位： 南京國盛電子有限公司
發(fā)布日期： 2016-04-05
實施日期： 2016-09-01
點 擊 數(shù)：
更新日期： 2017年12月26日
內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了利用堆垛層錯尺寸法測量硅外延層厚度的方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于在<111>、<100>和<110>晶向的硅單晶襯底上生長的2μm～120μm硅外延層厚度的測量。

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