1.1 本標準規(guī)定了使用全反射X光熒光光譜定量測定硅拋光襯底表面層的元素面密度的方法。本標準適用于硅單晶拋光片、外延片(以下稱硅片)尤其適用于硅片清洗后自然氧化層或經化學方法生長的氧化層中沾污元素面密度的測定測定范圍為109 atoms/cm2~1015 atoms/cm2。本標準同樣適用于其他半導體材料如砷化鎵、碳化硅、SOI等鏡面拋光晶片表面金屬沾污的測定。
1.2 對良好的鏡面拋光表面可探測深度約5nm分析深度隨表面粗糙度的改善而增大。
1.3 本方法可檢測元素周期表中原子序數(shù)16(S)~92(U)的元素尤其適用于測定以下元素：鉀、鈣、鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、砷、鉬、鈀、銀、錫、鉭、鎢、鉑、金、汞和鉛。
1.4 本方法的檢測限取決于原子序數(shù)、激勵能、激勵X射線的光通量、設備的本底積分時間以及空白值。對恒定的設備參數(shù)無干擾檢測限是元素原子序數(shù)的函數(shù)其變化超過兩個數(shù)量級。重復性和檢測限的關系見附錄A。
1.5 本方法是非破壞性的是對其他測試方法的補充與不同表面金屬測試方法的比較及校準樣品的標定參見附錄B。