本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用原子力顯微鏡測(cè)試氮化鎵單晶襯底表面粗糙度的方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于化學(xué)氣相沉積及其他方法生長制備的表面粗糙度小于10nm 的氮化鎵單晶襯底。其他具有相似表面結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體單晶襯底應(yīng)用本標(biāo)準(zhǔn)提供的方法進(jìn)行測(cè)試前,需經(jīng)測(cè)試雙方協(xié)商達(dá)成一致。