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硅基MEMS制造技術 版圖設計基本規(guī)則

標 準 號: GB/T 28274-2012
替代情況:
發(fā)布單位: 中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局、中國國家標準化管理委員會
起草單位: 北京大學、中機生產力促進中心、中國電子科技集團第十三研究所、中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所等
發(fā)布日期: 2012-05-11
實施日期: 2012-12-01
點 擊 數(shù):
更新日期: 2016年12月14日
內容摘要

本標準規(guī)定了微結構加工時,光刻版圖設計中圖形設計應遵循的基本規(guī)則。
本標準適用于采用接觸式單/雙面光刻、氧化擴散、化學氣相淀積(CVD)、物理氣相淀積(PVD)、離子注入、反應離子刻蝕(RIE)、氫氧化鉀(KOH)腐蝕、硅-玻璃對準靜電結合、砂輪劃片等基本工藝方法。

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