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集成電路TSV三維封裝可靠性試驗(yàn)方法指南

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào)： GB/Z 43510-2023
替代情況：
發(fā)布單位： 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
起草單位： 工業(yè)和信息化部電子第五研究所、中國(guó)科學(xué)院微電子研究所、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 等
發(fā)布日期： 2023-12-28
實(shí)施日期： 2024-04-01
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更新日期： 2024年02月19日
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內(nèi)容摘要

本文件提供了硅通孔（TSV）三維封裝的工藝開發(fā)驗(yàn)證用可靠性試驗(yàn)方法指南。 ?
本文件適用于采用先通孔、中通孔以及后通孔三種工藝流程制造的TSV三維封裝的工藝驗(yàn)證試驗(yàn)。

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*本標(biāo)準(zhǔn)來自網(wǎng)友 lee1004 分享，只作為網(wǎng)友的交流學(xué)習(xí)之用。
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