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低位錯密度砷化鎵拋光片蝕坑密度的測量方法

標(biāo) 準(zhǔn) 號: SJ/T 11490-2015
替代情況:
發(fā)布單位: 中華人民共和國工業(yè)和信息化部
起草單位: 工業(yè)和信息化部電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化研究院
發(fā)布日期: 2015-04-30
實施日期: 2015-10-01
點 擊 數(shù):
更新日期: 2018年11月21日
內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了低位錯密度砷化鎵(GaAs)拋光片腐蝕坑密度(EPD)的測量方法。

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