本標準規(guī)定了納米尺度相變存儲單元讀寫擦參數(shù)的晶圓測試規(guī)范，其測試結(jié)果可用于表征相變存儲材料或器件的電學可操作性能。?本標準適用于以硫系化合物為主要原料，基于半導體晶圓工藝加工制造的電極尺度小于100 nm的相變存儲單元，100 nm～300 nm的相變存儲單元也可參照本標準執(zhí)行。?本標準不適用于包含外圍驅(qū)動電路的存儲單元。?