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碳化硅單晶片厚度和總厚度變化測(cè)試方法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào)： GB/T 30867-2014
替代情況：
發(fā)布單位： 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
起草單位： 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所、中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院
發(fā)布日期： 2014-07-24
實(shí)施日期： 2015-02-01
點(diǎn) 擊 數(shù)：
更新日期： 2017年11月22日
內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了碳化硅單晶片厚度及總厚度變化(TTV)的測(cè)試方法,包括接觸式和非接觸式兩種方式。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于直徑不小于30mm、厚度為0.13mm~1mm 的碳化硅單晶片

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