本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了采用輝光放電質(zhì)譜(GD?MS)法測(cè)量多晶硅中雜質(zhì)元素的測(cè)試方法。?本標(biāo)準(zhǔn)適用于多晶硅材料中除氫和惰性氣體元素以外的其他雜質(zhì)元素含量的測(cè)定，測(cè)量范圍是本方法的檢出限至0.1%（質(zhì)量分?jǐn)?shù))，檢出限根據(jù)所用儀器及測(cè)量條件確定。通過(guò)合適的標(biāo)準(zhǔn)樣品校正，也可以測(cè)量質(zhì)量分?jǐn)?shù)大于0.1%的雜質(zhì)元素含量。單晶硅材料中痕量雜質(zhì)元素也可參照本標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量。