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表面化學(xué)分析 二次離子質(zhì)譜 硅中砷的深度剖析方法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào)： GBT 32495-2016
替代情況：
發(fā)布單位： 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局、中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
起草單位： 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所
發(fā)布日期： 2016-02-24
實(shí)施日期： 2017-01-01
點(diǎn) 擊 數(shù)：
更新日期： 2017年03月21日
內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了用扇形磁場(chǎng)或四極桿式二次離子質(zhì)譜儀對(duì)硅中砷進(jìn)行深度剖析的方法。

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