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硅晶片表面超薄氧化硅層厚度的測量 X射線光電子能譜法

標 準 號: GB/T 25188-2010
替代情況:
發(fā)布單位: 中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局、中國國家標準化管理委員會
起草單位: 中國科學院化學研究所、中國計量科學研究院
發(fā)布日期: 2010-09-26
實施日期: 2011-08-01
點 擊 數(shù):
更新日期: 2011年12月22日
內容摘要

        本標準規(guī)定了一種準確測量硅晶片表面超薄氧化硅層厚度的方法,即X 射線光電子能譜法(XPS)。本標準適用于熱氧化法在硅晶片表面制備的超薄氧化硅層厚度的準確測量;通常,本標準適用的氧化硅層厚度不大于6nm。

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